一、技術(shù)參數(shù)是什么東西?

就是汽車各個(gè)部件的性能數(shù)據(jù)！

二、技術(shù)參數(shù)名詞解釋

技術(shù)參數(shù)名詞解釋針對某一事物在規(guī)定的檢測條件下得出的相對數(shù)據(jù)，一般是指設(shè)計(jì)或生產(chǎn)時(shí)做出的性能測試報(bào)告。

三、原理性能和技術(shù)參數(shù)的區(qū)別

原理:1.轉(zhuǎn)把構(gòu)造 2.普通有刷控制器 3.普通無刷控制器 4.電動(dòng)車剎把 5.電動(dòng)車轉(zhuǎn)換器 6.電動(dòng)車用電池 7.無刷電機(jī) 8.電門鎖 9.電動(dòng)車用燈泡 10.電動(dòng)車儀表 11.電動(dòng)車線束性能:就是把上面11點(diǎn)分解,太多了,寫不下.技術(shù)參數(shù):電動(dòng)車沒有什么具體的參數(shù)同款車有不同的配置，主要 要看你的需要無論哪個(gè)廠家都一樣，大概就像電腦一樣，一般的價(jià)格和配置。
電池12-20HA(450元750元 電機(jī)350W-400W（250元-400元） 不等 控制器是晶匯12管.電流25A-33A（250元-270元）車架有V型S型U型 一般常見的就S型價(jià)格在（140元-250元）其他東西都差不多價(jià)格的差價(jià)很小一搬在（0.1元-15元）跑的路程一般12ah的電池能跑50公里左右，20ah的電池能跑80公里左右，25ah能跑100公里左右。
時(shí)速一般大部分的電動(dòng)車都在40公里左右。
款式那就太多了數(shù)不清，每家的電動(dòng)車都有幾十個(gè)與其他家不同的款式。
這就是電動(dòng)車最詳細(xì)的參數(shù)了

四、電腦內(nèi)存技術(shù)參數(shù)有哪些？

內(nèi)存技術(shù)參數(shù)　　單面內(nèi)存與雙面內(nèi)存的區(qū)別在于單面內(nèi)存的內(nèi)存芯片都在同一面上，而雙面內(nèi)存的內(nèi)存芯片分布在兩面。
而單Bank與雙Bank的區(qū)別就不同了。
Bank從物理上理解為北橋芯片到內(nèi)存的通道，通常每個(gè)通道為64bit。
一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。
不同的芯片組所支持的Bank是不同的。
如Intel 82845系列芯片組支持4個(gè)Bank，而SiS的645系列芯片組則能支持6個(gè)Bank。
如果主板只支持4個(gè)Bank，而我們卻用6個(gè)Bank的話，那多余的2個(gè)Bank就白白地浪費(fèi)了。
雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點(diǎn)要注意。
　　這些電腦硬件文章經(jīng)常出現(xiàn)的參數(shù)就是在主板的BIOS里面關(guān)于內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置了。
通常說的2-2-3按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。
tRP為RAS預(yù)充電時(shí)間，數(shù)值越小越好；
tRCD是RAS到CAS的延遲，數(shù)值越小越好；
CL(CAS Latency)為CAS的延遲時(shí)間，這是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。
　　什么是雙通道DDR技術(shù)呢？需要說明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一種可以讓2條D D R內(nèi)存共同使用，數(shù)據(jù)并行傳輸?shù)募夹g(shù)。
雙通道DDR技術(shù)的優(yōu)勢在于，它可以讓內(nèi)存帶寬在原來的基礎(chǔ)上增加一倍，這對于P 4處理器的好處可謂不言而喻。
400M H z 前端總線的P 4 A處理器和主板傳輸數(shù)據(jù)的帶寬為3.2G B /s，而533 M Hz 前端總線的P4B處理器更是達(dá)到了4.3G B/s，而P4C處理器更是達(dá)到了800MHZ 前端總線從而需要6. 4 G的內(nèi)存帶寬。
但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66規(guī)范外，根本沒有內(nèi)存可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7G B/s的帶寬。
DDR400也只能提供3.2G /s的帶寬。
也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400的內(nèi)存，理論上提供2倍DDR400的帶寬。
將從而根本的解決了CPU和內(nèi)存之間的瓶頸問題。
　　DDR-II內(nèi)存是相對于現(xiàn)在主流的DDR-I內(nèi)存而言的，它們的工作時(shí)鐘預(yù)計(jì)將為400MHz或更高。
主流內(nèi)存市場將從現(xiàn)在的DDR-400產(chǎn)品直接過渡到DDR-II。
目前DDR-II內(nèi)存將采用0.13微米工藝，將來會(huì)過度到90納米，工作頻率也會(huì)超過800MHZ。

五、論文技術(shù)參數(shù)是什么意思

也就是產(chǎn)品的尺寸,技術(shù)規(guī)格等如字?jǐn)?shù),圖表,章節(jié)等

六、技術(shù)規(guī)格和參數(shù)的區(qū)別？

技術(shù)規(guī)格就是設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)依據(jù)的國家或國際標(biāo)準(zhǔn)。
而參數(shù)是指產(chǎn)品設(shè)計(jì)生產(chǎn)出來后的具體工作數(shù)據(jù)。
一般要求是參數(shù)不能低于堪術(shù)規(guī)格。